PSMN1R5-30YLC,115

商品型号： PSMN1R5-30YLC,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-669

商品毛重： 0.15g

商品编号： CY175081

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.95V @ 1mA 漏源导通电阻：1.55mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：179W(Tc) 类型：N沟道

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