商品型号： KND3306B
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.45g
商品编号： CY256951
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，60V，80A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
KND3306B由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KND3306B价格参考￥8.195200。KIA 半导体KND3306B封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：84.5W(Tc) 类型：N沟道 N沟道，60V，80A
手机版：KND3306B
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