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HSK0008

商品型号: HSK0008

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOT-89

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY614551

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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总   价: ¥47.46

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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HSK0008由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSK0008价格参考¥9.491800。HUASHUO(华朔)HSK0008封装/规格:SOT-89,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2.2A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:310mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道

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