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Dual N-MOS 30V 6.9A 27mΩ@10V
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Dual N-MOS 30V 6.9A 27mΩ@10V

商品型号: SM4800PRL

制造厂商: SPS(美国源芯)

封装规格: SOP-8_150mil

商品毛重: 0.19g

商品编号: CY945695

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥5.0361

总   价: ¥5.04

包   装:「圆盘 / 2500」

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

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SM4800PRL由SPS(美国源芯)设计生产,在芯云购商城现货销售,SM4800PRL价格参考¥5.036100。SPS(美国源芯)SM4800PRL封装/规格:SOP-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):6.9A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:1.4V @ 250uA 漏源导通电阻:27mΩ @ 6.9A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 -

手机版:SM4800PRL