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CSD18533Q5A

商品型号： CSD18533Q5A

制造厂商： TI(德州仪器)

封装规格： VSONP-8

商品毛重： 0.39g

商品编号： CY673282

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.9mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD18533Q5A 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.9mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD18533Q5A 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A

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CSD18533Q5A由TI(德州仪器)设计生产,在芯云购商城现货销售,CSD18533Q5A价格参考￥1.163000。TI(德州仪器)CSD18533Q5A封装/规格：VSONP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2.3V @ 250uA 漏源导通电阻：5.9mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.2W 类型：N沟道 CSD18533Q5A 60V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD18533Q5A

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