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BS250P

商品型号: BS250P

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: TO-92(TO-92-3)

商品毛重: 0.22g

商品编号: CY566328

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:14Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 45V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:14Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V

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BS250P由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,BS250P价格参考¥6.260900。DIODES(美台)BS250P封装/规格:TO-92(TO-92-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):230mA 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:3.5V @ 1mA 漏源导通电阻:14Ω @ 200mA,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):700mW 类型:P沟道 P沟道,-45V,-230mA,14Ω@-10V

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