商品型号： WSD4066DN
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFN3x3-8
商品毛重： 0.13g
商品编号： CY957425
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道 双N沟道.40V.14A.17mΩ.
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | |
| 类型 | 双N沟道 |
WSD4066DN由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD4066DN价格参考￥9.588000。WINSOK微硕WSD4066DN封装/规格：DFN3x3-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：14A 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：17mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双N沟道 双N沟道.40V.14A.17mΩ.
手机版：WSD4066DN
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