商品型号： WSD2018
制造厂商： WINSOK微硕
封装规格： DFNWB2*2-6L-J
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY510889
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 N沟道.20V.12A.10mΩ
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 类型 | N沟道 |
WSD2018由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD2018价格参考￥3.052500。WINSOK微硕WSD2018封装/规格：DFNWB2*2-6L-J,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A(Tc) 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.5W 类型：N沟道 N沟道.20V.12A.10mΩ
手机版：WSD2018
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