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LNN06R140

商品型号: LNN06R140

制造厂商: LONTEN(龙腾半导体)

封装规格: DFN5x6

商品毛重: 0.14g

商品编号: CY931928

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):43A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):43A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

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LNN06R140由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNN06R140价格参考¥5.442200。LONTEN(龙腾半导体)LNN06R140封装/规格:DFN5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):43A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:1.9V @ 250uA 漏源导通电阻:15mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道

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