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EMF20B02V

商品型号: EMF20B02V

制造厂商: 3PEAK

封装规格: EDFN3*3

商品毛重: 0.10g

商品编号: CY828977

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道

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商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W
连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道

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EMF20B02V由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,EMF20B02V价格参考¥4.507400。3PEAKEMF20B02V封装/规格:EDFN3*3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.5A 漏源电压(Vdss):-20V 栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA 漏源导通电阻:20mΩ @ 8.5A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双P沟道

手机版:EMF20B02V