商品型号： LNN04R050
制造厂商： LONTEN(龙腾半导体)
封装规格： DFN5x6
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY443121
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.2mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥2.492
10+
￥2.3937
30+
￥2.2954
100+
￥2.1971
500+
￥2.0988
1000+
￥2.0005
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￥38.00
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￥15.00
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￥25.00
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￥120.00
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封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
LNN04R050由LONTEN(龙腾半导体)设计生产,在芯云购商城现货销售,LNN04R050价格参考￥2.492000。LONTEN(龙腾半导体)LNN04R050封装/规格：DFN5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：6.2mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：54W(Tc) 类型：N沟道
手机版：LNN04R050
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