商品型号： VSB012N03MS
制造厂商： Vanguard(威兆)
封装规格： TDFN3.3X3.3
商品毛重： 0.10g
商品编号： CY142430
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道 N沟道 30V 38A
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 类型 | N沟道 |
VSB012N03MS由Vanguard(威兆)设计生产,在芯云购商城现货销售,VSB012N03MS价格参考￥6.015000。Vanguard(威兆)VSB012N03MS封装/规格：TDFN3.3X3.3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：38A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：41W 类型：N沟道 N沟道 30V 38A
手机版：VSB012N03MS
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