商品型号： CJBE5005
制造厂商： CJ(江苏长电 长晶)
封装规格： DFNWB3x3-8L-K
商品毛重： 0.12g
商品编号： CY338262
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：双N沟道(共漏)
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 10A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | - | |
| 类型 | 双N沟道(共漏) |
CJBE5005由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJBE5005价格参考￥6.056100。CJ(江苏长电 长晶)CJBE5005封装/规格：DFNWB3x3-8L-K,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A 漏源电压（Vdss）：-20V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：双N沟道(共漏)
手机版：CJBE5005
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