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IRFZ34NSTRLPBF

商品型号： IRFZ34NSTRLPBF

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.85g

商品编号： CY762541

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W(Tc) 类型：N沟道 MOSFETN-CH55V29AD2PAK

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W(Tc) 类型：N沟道 MOSFETN-CH55V29AD2PAK

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IRFZ34NSTRLPBF由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IRFZ34NSTRLPBF价格参考￥3.303600。Infineon(英飞凌)IRFZ34NSTRLPBF封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：29A(Tc) 漏源电压（Vdss）：55V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：40mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W(Tc) 类型：N沟道 MOSFETN-CH55V29AD2PAK

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