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WSD30100DN56

商品型号： WSD30100DN56

制造厂商： WINSOK微硕

封装规格： DFN 5x6-8

商品毛重： 0.10g

商品编号： CY572972

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46.3W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.100A.3mΩ

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46.3W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.100A.3mΩ

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WSD30100DN56由WINSOK微硕设计生产,在芯云购商城现货销售,WSD30100DN56价格参考￥2.173400。WINSOK微硕WSD30100DN56封装/规格：DFN 5x6-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100A(Tc) 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：46.3W(Tc) 类型：N沟道 N沟道.30V.100A.3mΩ

手机版：WSD30100DN56