商品型号： KNY3404C
制造厂商： KIA 半导体
封装规格： DFN5x6
商品毛重： 0.14g
商品编号： CY316532
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52.1W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
KNY3404C由KIA 半导体设计生产,在芯云购商城现货销售,KNY3404C价格参考￥2.468300。KIA 半导体KNY3404C封装/规格：DFN5x6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：52.1W(Tc) 类型：N沟道
手机版：KNY3404C
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