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4N60L-B-TN3-R

商品型号： 4N60L-B-TN3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.50g

商品编号： CY637625

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟道,600V,4A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	4A
最大功率耗散（Ta=25°C）	50W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟道,600V,4A

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4N60L-B-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,4N60L-B-TN3-R价格参考￥9.381200。3PEAK4N60L-B-TN3-R封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：4A 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：2.5Ω @ 2.2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：N沟道 N沟道,600V,4A

手机版：4N60L-B-TN3-R