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BUK9K29-100E,115

商品型号： BUK9K29-100E,115

制造厂商： Nexperia(安世)

封装规格： SOT-1205

商品毛重： 0.11g

商品编号： CY257279

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：27mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W 类型：双N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	30A
栅源极阈值电压	2.1V @ 1mA
类型	双N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：27mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W 类型：双N沟道

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BUK9K29-100E,115由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,BUK9K29-100E,115价格参考￥6.490400。Nexperia(安世)BUK9K29-100E,115封装/规格：SOT-1205,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A 漏源电压（Vdss）：-100V 栅源极阈值电压：2.1V @ 1mA 漏源导通电阻：27mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：68W 类型：双N沟道

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