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12P10L-TN3-R

商品型号： 12P10L-TN3-R

制造厂商： 3PEAK

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.50g

商品编号： CY511167

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商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 N沟道,100V,9.6A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 N沟道,100V,9.6A

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12P10L-TN3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,12P10L-TN3-R价格参考￥4.121200。3PEAK12P10L-TN3-R封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.4A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W(Tc) 类型：P沟道 N沟道,100V,9.6A

手机版：12P10L-TN3-R