商品型号： IPB010N06N
制造厂商： Infineon(英飞凌)
封装规格： PG-TO263-7
商品毛重： 1.46g
商品编号： CY687834
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 280?A 漏源导通电阻：1mOhm @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
IPB010N06N由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPB010N06N价格参考￥2.052800。Infineon(英飞凌)IPB010N06N封装/规格：PG-TO263-7,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：180A 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：3.3V @ 280?A 漏源导通电阻：1mOhm @ 100A, 10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300W (Tc) 类型：N沟道
手机版：IPB010N06N
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