IPD30N10S3L34ATMA1

商品型号： IPD30N10S3L34ATMA1

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.48g

商品编号： CY483186

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 29uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,30A,31mΩ@10V

交货地:国内货期(工作日):立即发货

库存:现货1754(2500起订)

数量: X ￥8.0834

总价: ￥8.08

包装:「圆盘 / 2500」

近期成交:0单

在线咨询

成功加入购物车

数量

价格
1+

￥8.0834
10+

￥8.0704
30+

￥8.0574
100+

￥8.0444
500+

￥8.0314
1000+

￥8.0157

规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 29uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,30A,31mΩ@10V

热门型号推荐
最新商品推荐
知名品牌推荐

芯云购电子元器件商城提供IPD30N10S3L34ATMA1引脚图查看，IPD30N10S3L34ATMA1中文资料pdf下载，IPD30N10S3L34ATMA1使用说明书查看，IPD30N10S3L34ATMA1参数pdf下载, IPD30N10S3L34ATMA1工作原理，IPD30N10S3L34ATMA1驱动电路图，IPD30N10S3L34ATMA1数据手册，IPD30N10S3L34ATMA1如何测量, IPD30N10S3L34ATMA1接线图查看

IPD30N10S3L34ATMA1由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,IPD30N10S3L34ATMA1价格参考￥8.083400。Infineon(英飞凌)IPD30N10S3L34ATMA1封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：30A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.4V @ 29uA 漏源导通电阻：31mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：57W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,100V,30A,31mΩ@10V

手机版：IPD30N10S3L34ATMA1