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LSK3541FS8T2L

商品型号： LSK3541FS8T2L

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： VMT3

商品毛重： 0.47g

商品编号： CY940635

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 0.1A

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	30V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	100mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	150mW(Tc)
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 0.1A

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LSK3541FS8T2L由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,LSK3541FS8T2L价格参考￥8.083400。ROHM(罗姆)LSK3541FS8T2L封装/规格：VMT3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW(Tc) 类型：N沟道 N沟道 30V 0.1A

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