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DMN1150UFB-7B

商品型号： DMN1150UFB-7B

制造厂商： DIODES(美台)

封装规格： DFN-3

商品毛重： 0.01g

商品编号： CY823177

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.41A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	12V
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.41A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

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DMN1150UFB-7B由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN1150UFB-7B价格参考￥6.168200。DIODES(美台)DMN1150UFB-7B封装/规格：DFN-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1.41A 漏源电压（Vdss）：12V 栅源极阈值电压：1V @ 250uA 漏源导通电阻：150mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道

手机版：DMN1150UFB-7B