商品型号： PMZ350UPEYL
制造厂商： Nexperia(安世)
封装规格： DFN1006-3
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY834803
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 300mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 360mW | |
| 类型 | P沟道 |
PMZ350UPEYL由Nexperia(安世)设计生产,在芯云购商城现货销售,PMZ350UPEYL价格参考￥4.595300。Nexperia(安世)PMZ350UPEYL封装/规格：DFN1006-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：950mV @ 250uA 漏源导通电阻：450mΩ @ 300mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：360mW 类型：P沟道
手机版：PMZ350UPEYL
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