商品型号： HY19P03D
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.49g
商品编号： CY327691
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道 P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 50W | |
| 类型 | P沟道 |
HY19P03D由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY19P03D价格参考￥9.126100。HUAYI(华羿微)HY19P03D封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：6mΩ @ 45A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：50W 类型：P沟道 P沟道 -30V -90A ，4.8mΩ导通电阻
手机版：HY19P03D
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