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DMN5L06DMK-7

商品型号: DMN5L06DMK-7

制造厂商: DIODES(美台)

封装规格: SOT-26

商品毛重: 0.02g

商品编号: CY659159

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):305mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 50mA, 5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:双N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥7.18

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商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 50V
最大功率耗散(Ta=25°C) 400mW
类型 双N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):305mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 50mA, 5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:双N沟道

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DMN5L06DMK-7由DIODES(美台)设计生产,在芯云购商城现货销售,DMN5L06DMK-7价格参考¥7.175400。DIODES(美台)DMN5L06DMK-7封装/规格:SOT-26,连续漏极电流(Id)(25°C 时):305mA 漏源电压(Vdss):50V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:2Ω @ 50mA, 5V 最大功率耗散(Ta=25°C):400mW 类型:双N沟道

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