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HSM4606

商品型号: HSM4606

制造厂商: HUASHUO(华朔)

封装规格: SOP-8

商品毛重: 0.24g

商品编号: CY155346

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A,-6A 漏源电压(Vdss):30V,-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥1.1329

总   价: ¥5.66

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道和P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A,-6A 漏源电压(Vdss):30V,-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道

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HSM4606由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM4606价格参考¥1.132900。HUASHUO(华朔)HSM4606封装/规格:SOP-8,连续漏极电流(Id)(25°C 时):7A,-6A 漏源电压(Vdss):30V,-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 6A,10V;32mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.5W 类型:N沟道和P沟道

手机版:HSM4606