商品型号： HSM4435
制造厂商： HUASHUO(华朔)
封装规格： SOP-8
商品毛重： 0.19g
商品编号： CY079458
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
HSM4435由HUASHUO(华朔)设计生产,在芯云购商城现货销售,HSM4435价格参考￥2.462100。HUASHUO(华朔)HSM4435封装/规格：SOP-8,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：9.5A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：20mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3.1W 类型：P沟道
手机版：HSM4435
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