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RSR010N10FHATL

商品型号： RSR010N10FHATL

制造厂商： ROHM(罗姆)

封装规格： TSMT3

商品毛重： 0.03g

商品编号： CY663838

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	1A
最大功率耗散（Ta=25°C）	1W
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

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RSR010N10FHATL由ROHM(罗姆)设计生产,在芯云购商城现货销售,RSR010N10FHATL价格参考￥2.535400。ROHM(罗姆)RSR010N10FHATL封装/规格：TSMT3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：1A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：2.5V @ 1mA 漏源导通电阻：520mΩ @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1W 类型：N沟道

手机版：RSR010N10FHATL