商品型号： AP10TN135N
制造厂商： APEC(富鼎)
封装规格： SOT-23
商品毛重： 0.04g
商品编号： CY654215
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道
交货地:国内 货期(工作日):立即发货
库 存:现货8262(3000起订)
数 量: X ￥5.5618
总 价: ￥27.81
包 装:「圆盘 / 3000」
近期成交:0单
在线咨询成功加入购物车
数量
价格
5+
￥5.5618
50+
￥5.4691
150+
￥5.3764
500+
￥5.2837
2500+
￥5.191
5000+
￥5.0955
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | N沟道 |
AP10TN135N由APEC(富鼎)设计生产,在芯云购商城现货销售,AP10TN135N价格参考￥5.561800。APEC(富鼎)AP10TN135N封装/规格：SOT-23,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A(Tc) 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：135mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道
手机版：AP10TN135N
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监