商品型号： FDG6322C
制造厂商： ON(安森美)
封装规格： SC70-6
商品毛重： 0.03g
商品编号： CY820818
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA,410mA 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 220mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道和P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300mW | |
| 类型 | N沟道和P沟道 |
FDG6322C由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,FDG6322C价格参考￥7.584600。ON(安森美)FDG6322C封装/规格：SC70-6,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：220mA,410mA 漏源电压（Vdss）：25V 栅源极阈值电压：1.5V @ 250uA 漏源导通电阻：4Ω @ 220mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：300mW 类型：N沟道和P沟道
手机版：FDG6322C
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