商品型号： NCE30P12S
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY943256
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道
数量
价格
1+
￥6.1606
10+
￥6.1355
30+
￥6.1104
100+
￥6.0828
500+
￥6.0552
1000+
￥6.0276
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 12A | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3W | |
| 类型 | P沟道 |
NCE30P12S由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE30P12S价格参考￥6.160600。无锡新洁能NCE30P12S封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：12A 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：15mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：P沟道
手机版：NCE30P12S
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