商品型号： CJBB3134K
制造厂商： CJ(江苏长电 长晶)
封装规格： DFN1006-3L-A
商品毛重： 0.01g
商品编号： CY525264
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 150mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 750mA | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 100mW | |
| 类型 | N沟道 |
CJBB3134K由CJ(江苏长电 长晶)设计生产,在芯云购商城现货销售,CJBB3134K价格参考￥3.302700。CJ(江苏长电 长晶)CJBB3134K封装/规格：DFN1006-3L-A,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：750mA 漏源电压（Vdss）：20V 栅源极阈值电压：1.1V @ 250uA 漏源导通电阻：500mΩ @ 150mA,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：100mW 类型：N沟道
手机版：CJBB3134K
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