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PDN6911S

商品型号: PDN6911S

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-23-3S

商品毛重: 0.03g

商品编号: CY581102

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道

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总   价: ¥93.79

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道

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PDN6911S由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,PDN6911S价格参考¥9.379200。3PEAKPDN6911S封装/规格:SOT-23-3S,连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:190mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.56W(Tc) 类型:P沟道

手机版:PDN6911S