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NCE01P18K

商品型号: NCE01P18K

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-252-2(DPAK)

商品毛重: 0.55g

商品编号: CY334615

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

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总   价: ¥1.43

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 100V
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

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NCE01P18K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE01P18K价格参考¥1.429900。无锡新洁能NCE01P18K封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V

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