商品型号: NCE01P18K
制造厂商: 无锡新洁能
封装规格: TO-252-2(DPAK)
商品毛重: 0.55g
商品编号: CY334615
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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | MOS(场效应管) | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
类型 | P沟道 |
NCE01P18K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE01P18K价格参考¥1.429900。无锡新洁能NCE01P18K封装/规格:TO-252-2(DPAK),连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):70W 类型:P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
手机版:NCE01P18K
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