商品型号： NCE01P18K
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-252-2(DPAK)
商品毛重： 0.55g
商品编号： CY334615
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 类型 | P沟道 |
NCE01P18K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE01P18K价格参考￥1.429900。无锡新洁能NCE01P18K封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18A 漏源电压（Vdss）：100V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：100mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W 类型：P沟道 P沟道,-100V,-18A,100mΩ@-10V
手机版：NCE01P18K
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