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TDM3478

商品型号: TDM3478

制造厂商: Techcode(泰德)

封装规格: DFN 3x3

商品毛重: 0.16g

商品编号: CY636294

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.08W 类型:N沟道 N沟道 30V 9.7mΩ@4.5V

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.08W 类型:N沟道 N沟道 30V 9.7mΩ@4.5V

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TDM3478由Techcode(泰德)设计生产,在芯云购商城现货销售,TDM3478价格参考¥6.068700。Techcode(泰德)TDM3478封装/规格:DFN 3x3,连续漏极电流(Id)(25°C 时):54A 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:6mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.08W 类型:N沟道 N沟道 30V 9.7mΩ@4.5V

手机版:TDM3478