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NTB5605PT4G

商品型号: NTB5605PT4G

制造厂商: ON(安森美)

封装规格: TO-263-2

商品毛重: 1.82g

商品编号: CY001396

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):88W(Tc) 类型:P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

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商品目录 MOS(场效应管)
类型 P沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):88W(Tc) 类型:P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

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NTB5605PT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB5605PT4G价格参考¥3.230100。ON(安森美)NTB5605PT4G封装/规格:TO-263-2,连续漏极电流(Id)(25°C 时):18.5A 漏源电压(Vdss):-60V 栅源极阈值电压:2V @ 250uA 漏源导通电阻:140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散(Ta=25°C):88W(Tc) 类型:P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

手机版:NTB5605PT4G