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NTB5605PT4G

商品型号： NTB5605PT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-263-2

商品毛重： 1.82g

商品编号： CY001396

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
类型	P沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

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NTB5605PT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTB5605PT4G价格参考￥3.230100。ON(安森美)NTB5605PT4G封装/规格：TO-263-2,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：18.5A 漏源电压（Vdss）：-60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：140mΩ @ 8.5A,5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：88W(Tc) 类型：P沟道 P 沟道,-60V,-1.85A,-120mΩ@-5V

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