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NTD5865NLT4G

商品型号： NTD5865NLT4G

制造厂商： ON(安森美)

封装规格： TO-252-2(DPAK)

商品毛重： 0.44g

商品编号： CY333028

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	60V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

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NTD5865NLT4G由ON(安森美)设计生产,在芯云购商城现货销售,NTD5865NLT4G价格参考￥1.461700。ON(安森美)NTD5865NLT4G封装/规格：TO-252-2(DPAK),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：46A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：2V @ 250uA 漏源导通电阻：16mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：71W(Tc) 类型：N沟道 N 沟道,60V,16A,16mΩ@10V

手机版：NTD5865NLT4G