商品型号： NCE6080K
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： TO-252
商品毛重： 0.47g
商品编号： CY031846
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 类型 | N沟道 |
NCE6080K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE6080K价格参考￥6.508200。无锡新洁能NCE6080K封装/规格：TO-252,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A(Tc) 漏源电压（Vdss）：60V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
手机版：NCE6080K
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