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NCE6080K

商品型号: NCE6080K

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: TO-252

商品毛重: 0.47g

商品编号: CY031846

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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数   量: X ¥6.5082

总   价: ¥6.51

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

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NCE6080K由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE6080K价格参考¥6.508200。无锡新洁能NCE6080K封装/规格:TO-252,连续漏极电流(Id)(25°C 时):80A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):110W(Tc) 类型:N沟道

手机版:NCE6080K