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BSS127H6327XTSA2

商品型号： BSS127H6327XTSA2

制造厂商： Infineon(英飞凌)

封装规格： SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重： 0.28g

商品编号： CY783878

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.6V @ 8uA 漏源导通电阻：500Ω @ 16mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,600V,21mA,500Ω@10V

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规格参数
PDF数据手册

属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	600V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	21mA
最大功率耗散（Ta=25°C）	500mW
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.6V @ 8uA 漏源导通电阻：500Ω @ 16mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,600V,21mA,500Ω@10V

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BSS127H6327XTSA2由Infineon(英飞凌)设计生产,在芯云购商城现货销售,BSS127H6327XTSA2价格参考￥9.001800。Infineon(英飞凌)BSS127H6327XTSA2封装/规格：SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流（Id）（25°C 时）：21mA 漏源电压（Vdss）：600V 栅源极阈值电压：2.6V @ 8uA 漏源导通电阻：500Ω @ 16mA,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500mW 类型：N沟道 N沟道,600V,21mA,500Ω@10V

手机版：BSS127H6327XTSA2