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CRTM025N03L

商品型号: CRTM025N03L

制造厂商: CRMICRO(华润微)

封装规格: DFN5x6

商品毛重: 0.17g

商品编号: CY823574

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

交货地:国内 货期(工作日):立即发货

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总   价: ¥4.02

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  • PDF数据手册
属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 30V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

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CRTM025N03L由CRMICRO(华润微)设计生产,在芯云购商城现货销售,CRTM025N03L价格参考¥4.016600。CRMICRO(华润微)CRTM025N03L封装/规格:DFN5x6,连续漏极电流(Id)(25°C 时):98A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:2.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:N沟道

手机版:CRTM025N03L