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NCEP6020AS

商品型号: NCEP6020AS

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: SOIC-8_150mil

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY082085

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 N沟道,60V,20A,4.0mΩ

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 20A
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 N沟道,60V,20A,4.0mΩ

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NCEP6020AS由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCEP6020AS价格参考¥3.206600。无锡新洁能NCEP6020AS封装/规格:SOIC-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.4V @ 250uA 漏源导通电阻:4.5mΩ @ 20A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 N沟道,60V,20A,4.0mΩ

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