商品型号： HY12P03C2
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： PPAK5*6-8L
商品毛重： 0.17g
商品编号： CY655015
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 类型 | P沟道 |
HY12P03C2由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY12P03C2价格参考￥7.277100。HUAYI(华羿微)HY12P03C2封装/规格：PPAK5*6-8L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：11.5mΩ @ 12A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：42W(Tc) 类型：P沟道
手机版：HY12P03C2
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