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NCE4953

商品型号: NCE4953

制造厂商: 无锡新洁能

封装规格: SOIC-8_150mil

商品毛重: 0.20g

商品编号: CY034510

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道 P沟道

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数   量: X ¥3.564

总   价: ¥17.82

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商品目录 MOS(场效应管)
最大功率耗散(Ta=25°C) 2.5W
连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道 P沟道

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NCE4953由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE4953价格参考¥3.564000。无锡新洁能NCE4953封装/规格:SOIC-8_150mil,连续漏极电流(Id)(25°C 时):5.1A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2.5W 类型:双P沟道 P沟道

手机版:NCE4953