商品型号： NCE4953
制造厂商： 无锡新洁能
封装规格： SOIC-8_150mil
商品毛重： 0.20g
商品编号： CY034510
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道 P沟道
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| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W |
NCE4953由无锡新洁能设计生产,在芯云购商城现货销售,NCE4953价格参考￥3.564000。无锡新洁能NCE4953封装/规格：SOIC-8_150mil,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5.1A 漏源电压（Vdss）：-30V 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：55mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：2.5W 类型：双P沟道 P沟道
手机版：NCE4953
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