商品型号： HY4504B
制造厂商： HUAYI(华羿微)
封装规格： TO-263-2L
商品毛重： 1.69g
商品编号： CY304724
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥4.4184
10+
￥4.32
30+
￥4.2216
100+
￥4.1232
500+
￥4.0248
1000+
￥4.0124
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
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封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | |
| 类型 | N沟道 |
HY4504B由HUAYI(华羿微)设计生产,在芯云购商城现货销售,HY4504B价格参考￥4.418400。HUAYI(华羿微)HY4504B封装/规格：TO-263-2L,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：250A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：3mΩ @ 125A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：288W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HY4504B
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