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UT3N06G-AE3-R

商品型号: UT3N06G-AE3-R

制造厂商: 3PEAK

封装规格: SOT-23(SOT-23-3)

商品毛重: 0.04g

商品编号: CY111920

数据手册: 在线预览

商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

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数   量: X ¥2.2168

总   价: ¥11.08

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 3A
最大功率耗散(Ta=25°C) 350mW
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

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UT3N06G-AE3-R由3PEAK设计生产,在芯云购商城现货销售,UT3N06G-AE3-R价格参考¥2.216800。3PEAKUT3N06G-AE3-R封装/规格:SOT-23(SOT-23-3),连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350mW 类型:N沟道 N沟道,60V,3A,90mΩ@10V

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