商品型号： IXFN50N80Q2
制造厂商： IXYS
封装规格： SOT-227B
商品毛重： 44.85g
商品编号： CY363716
数据手册：
在线预览
商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5.5V @ 8mA 漏源导通电阻：160mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1135W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥3.0467
30+
￥3.0326
32+
￥3.0163
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
品牌： FANHAR(浙江凡华)
封装： 20.2x10x15.5
￥15.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 800V | |
| 类型 | N沟道 |
IXFN50N80Q2由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFN50N80Q2价格参考￥3.046700。IXYSIXFN50N80Q2封装/规格：SOT-227B,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：50A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：5.5V @ 8mA 漏源导通电阻：160mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1135W(Tc) 类型：N沟道
手机版：IXFN50N80Q2
20万现货SKU
品类不断扩充
科技智能大仓储
4小时快速交货
仅从原厂和代理商进货
每一颗料均可原厂追溯
明码标价节省时间成本
一站式采购正品元器件
工商网监