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HA25N50

商品型号: HA25N50

制造厂商: HL(豪林)

封装规格: TO-3P

商品毛重: 7.20g

商品编号: CY676645

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商品描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):183W(Tc) 类型:N沟道

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属性(属性参数值如有纰漏请以PDF为准) 参数值
商品目录 MOS(场效应管)
漏源电压(Vdss) 500V
类型 N沟道
连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):183W(Tc) 类型:N沟道

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HA25N50由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HA25N50价格参考¥8.295400。HL(豪林)HA25N50封装/规格:TO-3P,连续漏极电流(Id)(25°C 时):25A(Tc) 漏源电压(Vdss):500V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:300mΩ @ 12.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):183W(Tc) 类型:N沟道

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