商品型号： HA20N50
制造厂商： HL(豪林)
封装规格： TO-3P
商品毛重： 7.20g
商品编号： CY848776
数据手册：
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商品描述： 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：340mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
数量
价格
1+
￥1.357
10+
￥1.2975
30+
￥1.238
100+
￥1.1785
500+
￥1.119
1000+
￥1.0595
品牌： ST(意法半导体)
封装： RD91
￥38.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP48
￥15.00
品牌： IXYS
封装： TO-247
￥25.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： LQFP-176
￥120.00
品牌： ST(意法半导体)
封装： TO3P
￥25.00
| 属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准） | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | MOS(场效应管) | |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | |
| 类型 | N沟道 |
HA20N50由HL(豪林)设计生产,在芯云购商城现货销售,HA20N50价格参考￥1.357000。HL(豪林)HA20N50封装/规格：TO-3P,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：20A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：340mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W(Tc) 类型：N沟道
手机版：HA20N50
20万现货SKU
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