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IXFK27N80Q

商品型号： IXFK27N80Q

制造厂商： IXYS

封装规格： TO-264-3

商品毛重： 12.28g

商品编号： CY674581

数据手册：在线预览

商品描述：连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 4mA 漏源导通电阻：320mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道

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规格参数
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属性（属性参数值如有纰漏请以PDF为准）	参数值
商品目录	MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）	800V
类型	N沟道

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 4mA 漏源导通电阻：320mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道

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IXFK27N80Q由IXYS设计生产,在芯云购商城现货销售,IXFK27N80Q价格参考￥4.191800。IXYSIXFK27N80Q封装/规格：TO-264-3,连续漏极电流（Id）（25°C 时）：27A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 4mA 漏源导通电阻：320mΩ @ 13.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：500W(Tc) 类型：N沟道

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